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現(xiàn)代氣相工藝的污染控制要求不斷推動四極氣體分析儀的性能極限。四極子技術(shù)正在迅速發(fā)展，并適應(yīng)較低污染水平的規(guī)格。在選擇特定應(yīng)用的傳感器時(shí)，充分了解影響目前不同氣體分析系統(tǒng)的檢測能力的各種因素是一個(gè)必要的工具。與通常的情況一樣，大多數(shù)選擇都涉及到妥協(xié)，而充分了解與不同檢測器配置相關(guān)的基本權(quán)衡將使錯誤最小化并*大化生產(chǎn)力。

所有的氣相處理裝置都可以受益于添加一個(gè)四極氣體分析儀。由匹配良好的探測器提供的信息迅速成為該過程中不可分割的組成部分，大大減少了傳統(tǒng)上屬于大多數(shù)真空故障排除程序的估算測量。隨著四極桿氣體分析儀變得越來越便宜，它們正迅速在所有需要嚴(yán)格控制工藝氣體污染水平的行業(yè)中變得普遍。智能軟件界面、較低的檢測限制和較低的擁有成本是現(xiàn)代儀器中需要尋找的一些功能。

本文的以下部分描述了開放和封閉離子源四極桿質(zhì)譜儀的性能規(guī)范。這些信息的主要目的是介紹為任何氣相應(yīng)用選擇正確的分析儀所需的基本概念，并提出一些必須牢記的基本工作原理，以確保所選儀器的最佳性能。

殘余氣體分析儀析

典型的殘余氣體分析儀（RGA）有一個(gè)開放的離子源（OIS），并直接安裝在一個(gè)真空室上，使整個(gè)傳感器與真空系統(tǒng)的其余部分處于相同的壓力下。較小的物理尺寸使得將 RGA 連接到幾乎任何真空系統(tǒng)都成為可能，包括研究和工藝設(shè)置。最大工作壓力為 10 ^-4 Torr。對于配備電子倍增器的裝置，最小可檢測分壓（通常為 N ² 在 28amu 處測量）低至 10 ^-14 Torr。

在高真空應(yīng)用中，如研究室、表面科學(xué)裝置、加速器、航空航天室、掃描顯微鏡、放氣室等，RGAs 被有效地用于監(jiān)測真空質(zhì)量，它們甚至可以很容易地檢測到低壓氣體環(huán)境中最微小的雜質(zhì)。痕量雜質(zhì)可以測量到 10 ^-14 Torr 水平，在沒有背景干擾的情況下，可以進(jìn)行亞 ppm 的檢測。在系統(tǒng)故障排除過程中，RGAs 也被用作非常靈敏的原位氦泄漏探測器。

在半導(dǎo)體行業(yè)中，RGA 最好用于蒸發(fā)器、濺射器、蝕刻器或任何其他高真空系統(tǒng)，這些系統(tǒng)通常被泵送到低于 10 ^-5 Torr。他們的主要應(yīng)用是在任何晶圓投入生產(chǎn)之前檢查真空密封的完整性和真空的質(zhì)量。空氣泄漏、虛擬泄漏和許多其他污染物在非常低的水平上很容易破壞晶圓，并且必須在工藝啟動之前被檢測到。隨著半導(dǎo)體工藝變得更加復(fù)雜，它們對污染物的容忍度也變得越低。工藝室中的殘余氣體分析增加了正常運(yùn)行時(shí)間和生產(chǎn)產(chǎn)量，并降低了擁有成本。

圖 1：OIS 示意圖

開放的離子源（OIS）

在大多數(shù)商用 RGAs 中使用的標(biāo)準(zhǔn)離子源是開放離子源（OIS）。這種電離器被認(rèn)為是 RGA 的“全做"源。自 20 世紀(jì) 50 年代初以來，它就一直呈圓柱形，軸向?qū)ΨQ的形式存在。通用的 OIS 設(shè)計(jì)原理圖如圖 1 所示。

OIS 滲透到工藝腔室中。燈絲和陽極電離網(wǎng)對周圍的真空室“開放"。真空室中存在的所有分子都可以很容易地穿過離子源。電離器中的壓力與周圍真空的壓力相同，也與四極桿質(zhì)譜分析儀和離子探測器中的壓力相同。OIS 對真空室中的所有氣體分子都是“開放的"。只要總壓力保持在 10 ^?4 Torr以下，它就可以用來監(jiān)測和檢測氣體水平的變化。由于離子之間的空間電荷排斥力，較高的壓力會導(dǎo)致靈敏度的降低。

OIS 的性能限制

OIS RGAs 在不影響真空環(huán)境氣體成分的情況下測量殘留氣體水平。然而，必須記住一些潛在的問題，特別是當(dāng)傳感器被常規(guī)用于監(jiān)測微量雜質(zhì)（ppm 和亞 ppm 水平）或超高真空（UHV，<10 -⁹ Torr）環(huán)境時(shí)。

下面列出了 OIS RGA 對其背景信號的不同貢獻(xiàn)方式，從而影響了傳感器的檢測能力。在適用的情況下描述最小化這些問題的方法。

除氣

OIS 是一種熱陰極離子源。燈絲（陰極）必須加熱到高溫（>1300°C），以建立電子發(fā)射電流。在高真空中，加熱燈絲所需的大部分能量通過輻射過程耗散到周圍環(huán)境中。因此，整個(gè)電離器和相鄰的真空壁面“發(fā)熱"。升高的溫度導(dǎo)致 OIS 本身和來自相鄰的腔壁的排氣增加。排氣釋放的氣體可以降低許多重要物種的 OIS RGA 的最小可檢測分壓（MDPP），包括 H ₂ 、H₂ O、N ₂ 、CO 和二氧化碳。

從熱陰極計(jì)上排氣對高真空用戶來說并不是一個(gè)新問題。它也存在于貝亞德-阿爾伯特電離儀中，這種電離計(jì)在過去 50 年里真空室中一直很常見。在大多數(shù)情況下，排氣只會影響被測量的氣體混合物的組成。然而，在某些情況下，放氣可能是一個(gè)嚴(yán)重的問題，甚至?xí)绊憣?shí)驗(yàn)或過程的結(jié)果。排氣電離器可以幫助最小化一些背景信號；然而，這通常只是一個(gè)臨時(shí)的解決方案。

一些 RGA 供應(yīng)商提供其 OIS 的 UHV 版本，其陽極（有時(shí)是整個(gè)電離器組件）由鉑包層鉬線制成。這種高度惰性的材料對許多氣體的吸附量降低，并減少了出氣和 ESD。

水氣是一種常見的干擾，尤其重要，因?yàn)樗窃S多高真空工藝的嚴(yán)重污染源。在超過 200°C 的長期烘烤是減少 OIS RGA 中水氣的*佳選擇。

在 OIS 電極排出的 H ₂ 氣體可能會讓 UHV 狀態(tài)下的用戶擔(dān)心，在 UHV 狀態(tài)下，殘留的氫通常占總氣體混合物成分的 95 %。H ₂ 溶解在大多數(shù) 300 系列不銹鋼中，很容易從熱 OIS 電極排出。OIS 對 H ₂ 背景的貢獻(xiàn)取決于其組成，使用鉑包覆蓋件可以顯著減少。在所有情況下，隨著氣體從電極中耗盡，影響會隨著時(shí)間的推移而減弱。

電子激發(fā)解吸（ESD）

即使在 RGA 被*底烘烤后，也經(jīng)常在 12、16、19 和 35 amu 處觀察到峰，這是由 OIS 內(nèi)部表面的 ESD 形成的，而不是由氣體物質(zhì)的電子沖擊電離形成的。ESD 對 RGA 性能的影響類似于排氣。

我們可以采取以下幾個(gè)步驟來最小化其影響：

*高電子能量脫氣——通常是商業(yè)儀器的一種選擇

*鍍金離子器——可以減少許多氣體的吸附，從而降低了 ESD 效應(yīng)。使用鉑包層覆蓋的鉬離子器也是一種替代選擇。

*減少了電子束的范圍。

*減少 OIS 的表面積——使用金屬絲網(wǎng)代替固體穿孔金屬

*避免將離子發(fā)生器暴露在氯和氟化合物中。

背景干擾

與電離器相比，四極質(zhì)量過濾器組件具有較大的表面積，即使在運(yùn)行過程中不像電離器那么熱，它仍然可以排氣。OIS 和傳感器都暴露在相同的真空環(huán)境中，這使得電離器對四極桿組件的其余部分排出的雜質(zhì)非常敏感。對于許多 RGA 用戶（特別是在 UHV 范圍內(nèi)）來說，一個(gè)嚴(yán)重的問題是水從未烘焙的 RGA 中排氣。然而，許多其他物質(zhì)也會影響背景讀數(shù)。例如，如果傳感器最近暴露在大量的氣體中（因?yàn)樗晃皆?SS 表面和解吸只是非常緩慢），可以預(yù)期高 Ar 背景。

電離發(fā)生器對在熱燈絲中產(chǎn)生的雜質(zhì)也很敏感。氣體分子在燈絲表面會發(fā)生熱裂解和化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)的產(chǎn)物很容易進(jìn)入電離區(qū)。以這種方式產(chǎn)生的雜質(zhì)通常是離子發(fā)生器表面污染的一個(gè)重要來源，并對 RGA 的長期穩(wěn)定性有嚴(yán)重影響。例如，CO 和 CO 2 是由大多數(shù)熱燈絲發(fā)出的，很容易進(jìn)入電離器和真空系統(tǒng)。

定期烘烤是盡量減少這個(gè)問題的*有效的方法。在 200°C 烘烤通?？梢越鉀Q大多數(shù)污染問題。如果問題仍然存在，則可能需要清潔和/或翻新四極桿傳感器。

分壓系統(tǒng)（PPR）

RGAs 并不局限于對壓力低于 10 ^-4 Torr 時(shí)的氣體的分析。借助分壓泵、減壓氣體進(jìn)口系統(tǒng)（PPR）可以對更高的氣體壓力進(jìn)行采樣，該系統(tǒng)包括分壓泵和真空泵。常規(guī)的分壓是針孔和毛細(xì)管，它們可以提供超過 6 個(gè)數(shù)量級的壓力降低。真空泵通常由一個(gè)前級泵和渦輪分子泵組成。RGA、進(jìn)氣系統(tǒng)和泵站構(gòu)成了通常稱為分壓系統(tǒng)（PPR）。這些氣體取樣系統(tǒng)在氣相過程中很常見，可以從幾個(gè) RGA供應(yīng)商那里獲得。如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，PPRs 可以從頭到尾監(jiān)控流程，為每一步都提供必要的信息。

圖 2 中描述的 PPR 系統(tǒng)是一個(gè)典型的減壓裝置的示例，用于將過程壓力降低到 OIS RGA 可接受的水平。PPR 包含到 RGA 的兩個(gè)入口路徑：用于監(jiān)測基礎(chǔ)真空的高電導(dǎo)率路徑（Hi-C），以及用于監(jiān)測工作壓力下的氣體的低電導(dǎo)率路徑（Lo-C）。

當(dāng)真空系統(tǒng)的壓力低于 10 ^?4 Torr 時(shí)，使用高電導(dǎo)率路徑。在高真空條件下，典型的應(yīng)用是進(jìn)行泄漏測試和監(jiān)測腔室的極限真空。例如，在濺射室中，該過程的第一階段是泵至小于 10 ^?6 Torr。此時(shí)，RGA 可用于檢查背景質(zhì)量的泄漏和污染物。一旦真空質(zhì)量令人滿意，濺射腔室以幾毫托回填氬氣，并開始濺射。

當(dāng)工藝室的壓力超過 10 ^?4 Torr 時(shí)，使用低電導(dǎo)率路徑。該路徑包含一個(gè)微孔節(jié)流孔，可將壓力降低數(shù)個(gè)量級到適合 RGA 的水平（通常在 10 ^?5 Torr 左右）?？讖娇捎糜诟哌_(dá) 10Torr 的工作壓力。有時(shí)會使用一組節(jié)流孔（或一個(gè)可調(diào)節(jié)的計(jì)量閥）來調(diào)節(jié)減壓系數(shù)，以適應(yīng)整個(gè)過程中的不同壓力。例如，在濺射過程中，Lo-C 路徑可用于監(jiān)測水蒸氣和碳?xì)浠衔锏乃?，以確保它們不會超過降低濺射膜質(zhì)量的某些臨界水平。

分子泵將氣體通過節(jié)流孔輸送到 RGA，形成壓降。在這些系統(tǒng)中使用的泵通常是非常緊湊，無油和低維護(hù)。

對于高于 10 Torr 的壓力，進(jìn)入單級 PPR（如圖 2 樣品樣側(cè)所示）的氣體流速變得非常小，響應(yīng)時(shí)間變慢，無法做出任何實(shí)際的測量。在這種情況下，雙級旁通抽氣取樣采樣系統(tǒng)，具有更大的氣體流速和更快的響應(yīng)速度，是比單級 PPR 更好的選擇。旁通抽氣取樣采樣系統(tǒng)，具有取中壓分析的方式，能夠分析幾個(gè)大氣壓的氣體混合物，可從幾個(gè) RGA 供應(yīng)商獲得該系統(tǒng)。

圖 2：PPR 進(jìn)口系統(tǒng)

PPR 系統(tǒng)的性能限制

PPR 在低于 10 Torr 壓力下的可以很好的進(jìn)行氣體取樣，它們提供的信息通常用于診斷和控制各種行業(yè)中的氣相過程。隨著價(jià)格的下跌和技術(shù)的發(fā)展，這些儀器正在不斷地尋找新的應(yīng)用領(lǐng)域。

大量的 PPR 系統(tǒng)專門用于檢測氣體混合物中的微量雜質(zhì)。OIS RGAs 有足夠的靈敏度和動態(tài)范圍來檢測百萬分之一（ppm）級別的污染物。然而，來自過程氣體的干擾和來自傳感器本身的背景干擾使 PPR 在實(shí)踐中很難檢測到 ppm 級別的雜質(zhì)。

背景干擾

分析儀腔室中存在的背景氣體可以掩蓋一些重要?dú)怏w（H ₂ 、H ₂ O、N ₂ 、CO 和 CO ₂ ）的 MDPPs。背景氣體是由于排氣、電子激發(fā)解吸和泵浦系統(tǒng)的有限壓縮比。

為了最好地說明這一點(diǎn)，以 10 ^?2 TorrAr 濺射過程中的水的分析為例。在過程監(jiān)測期間，質(zhì)譜儀通常運(yùn)行在約 10 ^?5 Torr 下，對應(yīng)于 PPR 的 Lo-C 路徑的降低了 3 個(gè)數(shù)量級。壓降使工藝室中 1 ppm 的水達(dá)到質(zhì)譜儀中的分壓約 10 ^?11 Torr（*全在典型 RGA 的檢測限范圍內(nèi)）。然而，由于質(zhì)譜儀與工藝氣體分離，PPR 室中的殘余壓力最多為 10 ^?9 Torr（其中大部分是水）。該水位比工藝室中 1 ppm 的水對應(yīng)的 10 ^?11 Torr 大 100 倍，這意味著在這些“常見"的操作條件下，水蒸氣濃度不能被可靠地檢測或測量到 100 ppm 以上。

在分析過程中，將 RGA 室的工作壓力提高到 5×10 ^?5 Torr ，MDPP 極限可以提高到 20 ppm。然而，在某些情況下，即使是 20 ppm 的 MDPP 限制也可能不夠低。添加一個(gè)具有大泵送速度的低溫泵，已被證明可以極大地減少 PPR 的四極室的水背景。然而，由于泵的高成本，這在實(shí)踐中很少這樣做。對于其他潛在的干擾氣體，也必須記住同樣的限制。為了在 ppm 水平檢測到任何物種（10mTorr過程中 10 ^?8 Torr），PPR 的殘余質(zhì)譜必須在該物種的峰對應(yīng)的質(zhì)量值處顯示小于 10 ^?11 Torr 的壓力讀數(shù)。在大多數(shù)真空系統(tǒng)中，除非采取必要的預(yù)防措施以盡量減少所有污染源，否則不容易達(dá)到這種水平。對于 50 amu 以下的質(zhì)量，這個(gè)問題通常更為嚴(yán)重，因?yàn)樵跉堄噘|(zhì)譜中總是有背景峰。

盡管 RGA 本質(zhì)上能夠執(zhí)行亞 ppm 的測量，但在 RGA 的殘余質(zhì)譜中找到背景處于 ppm 水平的位置并不總是容易。

PPR 中背景干擾的一個(gè)常見來源是傳統(tǒng)油泵回流到 PPR 室的污染。切換到一個(gè)*全無油的泵站，就消除了這個(gè)問題。

空氣的 MDPP 限值通常受到泵站的壓縮比的限制。在大多數(shù) PPR 系統(tǒng)中，N2 水平通常低于10 ^?9 Torr，氧水平大約低5倍。這相當(dāng)于在10 mTorr過程中，N ₂ @28amm的MDPP水平高于20ppm，O ₂ @32amu 的 MDPP 水平高于 4 ppm。

氫氣通常不可能在 ppm 的水平上檢測到，因?yàn)樗苋菀讖姆治鰞x上排出，而且它不能被大多數(shù)渦輪泵有效地泵送。一些用于最小化 H 2 背景信號的技巧包括：使用 Pt 覆蓋鉬 OIS，以及增加一個(gè)特殊的泵站，增加氫的泵送速度。

工藝氣體干擾

在一個(gè)典型的基于 OIS RGA 的 PPR 系統(tǒng)中，ppm 檢測水平的另一個(gè)限制是由來自被分析的相同工藝氣體的干擾造成的。

說明這一點(diǎn)的最好方法是回到 10 mTorr Ar 濺射過程中的水分析的例子。我們發(fā)現(xiàn)，檢測超過20 ppm 水平的水是非常困難的，除非 PPR 室被非常小心地烘烤并免受水污染。然而，正如我們將看到的，這只是問題的一部分：在濺射系統(tǒng)中使用的 m/e 18 也有嚴(yán)重的干擾。同位素 36 Ar 的含量為 0.34 %。在電子電離過程中，形成雙電荷氬，在 m/e 20（ ₄₀ Ar⁺⁺）和 m/e 18（ ₃₆ Ar⁺⁺）處產(chǎn)生峰。對于 70 eV 的電子沖擊能量， ₃₆ Ar ⁺⁺ 的典型水平為 350 ppm。因此，如果你想在基于 Ar 的濺射系統(tǒng)中檢測 ppm 的水，你必須解決兩個(gè)問題：傳感器排氣的背景干擾和 ₃₆ Ar ⁺⁺ 在 m/e 18 的干擾。

一個(gè)*底的烘烤可以減少背景水對低幾十 ppm 水平的貢獻(xiàn)，但消除 ₃₆ Ar ⁺⁺ 干擾需要使用幾種技巧。一些制造商只是選擇監(jiān)測 m/e 17 峰值。對于 70 eV 的電離電子，這個(gè)峰在 18 amu 時(shí)比主峰小4 倍。這導(dǎo)致了對水的檢測的靈敏度的顯著降低。它還增加了豐度靈敏度的問題，同時(shí)試圖測量質(zhì)量 17 的強(qiáng)度旁邊的一個(gè)大的 ₃₆ Ar ⁺⁺ 峰在 18 amu。

一個(gè)更好的選擇（也是推薦給具有可編程電離發(fā)生器電壓的 RGAs 的選擇）是在電子沖擊能量降低到小于 40 eV 時(shí)操作電離發(fā)生器。這個(gè)電離能低于 Ar ⁺⁺ 的外觀勢（43.5 eV）。例如，在操作35 eV 電子的 RGA 時(shí)，由于 Ar ⁺⁺ ，質(zhì)量為 18、19 和 20 的峰值消失，這是在 36、38 和 40 amu 的Ar ⁺ 檢測靈敏度降低最小的情況下實(shí)現(xiàn)的。

不同的電子電離能通常用于選擇性地電離氣體混合物中的物質(zhì)。從一般的質(zhì)譜文獻(xiàn)中可以很容易地得到許多不同氣體的電離勢表。電子能量的減少通常會給燈絲帶來額外的工作負(fù)荷，并可能減少其壽命。然而，減少的干擾效應(yīng)抵消了燈絲更換的額外成本。

封閉離子源（CIS）

在需要測量 10 ^?4 和 10 ^?2 Torr 之間的壓力的應(yīng)用中，通過用封閉離子源（CIS）采樣系統(tǒng)取代傳統(tǒng)的 OIS PPR 配置，可以顯著減少背景和工藝氣體干擾的問題。一個(gè)通用的 CIS 設(shè)置的橫截面如圖 3 所示。

CIS 電離器位于四極質(zhì)量濾波器的頂部，取代了傳統(tǒng) RGA 中更傳統(tǒng)的 OIS。它由一個(gè)短的氣密管組成，兩個(gè)非常小的電子和離子的出口。電子通過一個(gè)小尺寸的入口狹縫進(jìn)入電離區(qū)。離子在靠近一個(gè)提取板處形成并被吸引，并通過一個(gè)小直徑的圓孔離開電離器。氧化鋁環(huán)密封管從四極質(zhì)量組件的其余部分，并為偏置電極提供電絕緣。離子是由電子在過程壓力下的直接撞擊產(chǎn)生的。與 PPR 系統(tǒng)中使用的泵送系統(tǒng)類似，使燈絲和四極組件的其余部分保持在壓力在 10 ^?5 Torr 以下（20 個(gè)數(shù)量級的減壓）。該設(shè)計(jì)非常簡單，在被四極桿氣相分析儀采用之前，已成功地應(yīng)用于氣相色譜質(zhì)譜儀器多年。大多數(shù)商業(yè)上可用的 CIS 系統(tǒng)被設(shè)計(jì)為在 10 ^?2 和 10 ^?11 Torr 之間運(yùn)行，并在10 ^?4 和 10 ^?2 Torr 之間的工藝壓力的整個(gè)質(zhì)量范圍內(nèi)提供 ppm 級的可檢測性。

圖 3：CIS 的原理圖

PPR 和 CIS 系統(tǒng)之間的差異

在選擇*適合特定工藝應(yīng)用程序的傳感器設(shè)置時(shí)，了解 CIS 設(shè)置和更傳統(tǒng)的基于 OIS RGA 的PPR 之間的性能差異是*不可少的。工藝工程師在為其應(yīng)用程序選擇分析儀配置之前，應(yīng)仔細(xì)權(quán)衡所有差異。

直接抽樣

CIS 陽極可以看作是一個(gè)直接連接到工藝室的高電導(dǎo)管。電離區(qū)中的壓力與工藝室中的壓力基本相同。CIS 電離器在過程壓力下直接通過電子沖擊產(chǎn)生離子，而質(zhì)譜分析儀的其余部分和燈絲保持在高真空條件下。直接采樣提供了良好的靈敏度（由于可用的大離子密度）和快速的響應(yīng)時(shí)間?！坝洃浶?yīng)"，通常與壓力降低和電導(dǎo)孔有關(guān)，是顯著減少的。此外，由于不同氣體分子通過 PPR 孔徑的分子量依賴性擴(kuò)散系數(shù)而引起的分餾效應(yīng)也不存在。

信號與背景比

由于 CIS 中的采樣壓力通常比傳感器真空系統(tǒng)的其他部分高 20 倍，因此相對于 OIS PPR 系統(tǒng)，信號-背景比顯著增加。在測量諸如水等常見的殘留氣體時(shí)，這一點(diǎn)尤為重要。為了說明這一點(diǎn)，我們回到 10 ^?2 TorrAr 濺射過程中的水測量例子。Ar 氣體在 10 ^?2 Torr 處直接電離（比 OIS PPR 高出三個(gè)數(shù)量級?。┑谙嗤谋尘跋拢?0 ^?9 Torr）的剩余水。這個(gè)剩余的水信號現(xiàn)在對應(yīng)于 CIS 系統(tǒng)中水的100 ppb MDPP 水平。這是一個(gè)相當(dāng)改進(jìn)的 OIS PPR 性能！

直接取樣和差分泵送的結(jié)合為即使是*普遍的殘留氣體提供了 ppm 和亞 ppm 檢測極限的潛力。對于其他常見的干擾，如有機(jī)污染物或燈絲的反應(yīng)副產(chǎn)品，源的氣密設(shè)計(jì)降低了電離區(qū)域的可見性，這些氣體提供一個(gè)非常干凈的殘留氣體質(zhì)譜，避免了 OIS PPR 設(shè)置中許多質(zhì)譜重疊。

由 ESD 產(chǎn)生的污染物的干擾在 CIS 中也減少了，因?yàn)橐粋€(gè)要小得多的電子束穿透電離網(wǎng)。此外，大多數(shù)市售的 CIS 的內(nèi)壁都涂有高度惰性的材料，如金、鉑包層和純鉬，它們比不銹鋼吸附更少的雜質(zhì)。

CIS 能夠直接在 mTorr 范圍內(nèi)取樣氣體，并在其整個(gè)質(zhì)量范圍內(nèi)提供 ppm 級檢測，這使得 CIS系統(tǒng)成為半導(dǎo)體處理應(yīng)用的*選儀器，如 PVD、CVD 和蝕刻。

離子發(fā)生器污染

在 OIS PPR 體系中，在燈絲上發(fā)生熱裂化或化學(xué)反應(yīng)的樣品分子可以自由地漂移到電離區(qū)。這是電子沖擊電離器的表面污染物的一個(gè)非常重要的來源。相比之下，CIS 的氣密性設(shè)計(jì)降低了氣體源對這些污染物氣體的可見性，減少了污染和更好的長期穩(wěn)定性。大多數(shù) CIS 制造商在他們的系統(tǒng)中專門使用鎢絲。W 可以抵抗許多腐蝕性氣體（如 WF 6 ）和活性氣體（如硅烷），最大限度地減少在燈絲上的反應(yīng)，也可以延長燈絲的壽命。

多用途

當(dāng)與一個(gè)工藝適當(dāng)匹配時(shí)，OIS PPR 和 CIS 系統(tǒng)都是非常通用的儀器，在整個(gè)氣相過程中提供關(guān)鍵的信息。裝有雙路徑氣體入口的 PPR 系統(tǒng)，可以毫不費(fèi)力地切換高\(yùn)低電導(dǎo)率，從高靈敏度的RGA 操作模式切換到過程監(jiān)測模式。

通過簡單地改變一些傳感器的電離參數(shù)。CIS 氣體分析儀，即使不像 RGA 那樣敏感，也可以處理工藝室中需要的大多數(shù)殘余氣體分析和泄漏檢查測試。由于電子入口和離子出口的空穴非常小，CIS 的靈敏度降低。然而，在大多數(shù)情況下，在比 RGA 更高的增益水平上運(yùn)行電子倍增器彌補(bǔ)了靈敏度的降低。典型 MDPP 值的 CIS 系統(tǒng)，配備了一個(gè)可選的電子倍增器，并在 RGA 模式下運(yùn)行，是在 10 ^?11 Torr 左右。這比在 RGA 模式下打開 Hi-C 采樣路徑下操作的 PPRs 可以實(shí)現(xiàn)的 MDPP 值高出大約 20 倍。

CIS 電離器也可以重新配置，用于在線工藝監(jiān)測和控制，并在使用點(diǎn)驗(yàn)證工藝氣體的純度。在殘余氣體分析過程中提高電子發(fā)射電流以提高靈敏度，在過程監(jiān)測過程中降低電子發(fā)射電流，以避免在較高壓力下電離體積中的空間電荷飽和效應(yīng)。

CIS 的緊密設(shè)計(jì)使得在較低的電子電離能下操作電離器成為可能。大多數(shù)商用的 CIS 系統(tǒng)提供至少兩個(gè) 70 和 35 eV 的電子能量設(shè)置。70 eV 設(shè)置主要用于泄漏測試和常規(guī)氣體分析。收集到的質(zhì)譜與用標(biāo)準(zhǔn) RGA 獲得的質(zhì)譜幾乎相同。在過程監(jiān)測中使用 35 eV 設(shè)置，以消除過程氣體干擾峰值。低能量模式的一個(gè)常見應(yīng)用是消除雙電離的 36 Ar ⁺⁺ 峰，該峰干擾了濺射過程中 18 amu 處的水檢測。具有用戶可編程電離器電壓的 CIS 系統(tǒng)提供了最高的通用性，因?yàn)樗鼈兛梢员慌渲脼橥ㄟ^仔細(xì)調(diào)整電子沖擊能量來選擇性地在氣體混合物中的電離物質(zhì)。

使用 CIS 氣體分析儀進(jìn)行高壓采樣

CIS 分析儀可以直接取樣氣體高達(dá)約 10 ^?2 Torr 壓力水平。壓力上限是由離子中性碰撞的平均自由程的減少來設(shè)定的，這種碰撞發(fā)生在較高的壓力下，并導(dǎo)致離子的顯著散射和靈敏度的降低。然而，操作并不局限于對壓力低于 10 ^?2 Torr 時(shí)的氣體進(jìn)行分析。更高的氣體壓力可以通過分壓進(jìn)氣系統(tǒng)（PPR）來取樣，就像它用傳統(tǒng)的 RGAs 所做的一樣。一個(gè)與 CIS 分析儀的電導(dǎo)率相匹配的減壓氣體入口系統(tǒng)，將允許傳感器采樣高達(dá) 10 Torr 的氣體壓力。在 PPR 系統(tǒng)的情況下，所付出的代價(jià)是降低采樣速度，在樣品入口的氣體混合物的分流，以及在電離器上可能產(chǎn)生的記憶效應(yīng)。

對于壓力大于 10 Torr 的情況，進(jìn)入封閉電離器的氣體流量變得非常小，而且時(shí)間響應(yīng)對于任何實(shí)際測量來說都太慢。在這些情況下，一個(gè)旁路泵浦氣體采樣系統(tǒng)，具有更大的毛細(xì)管流速和更快的響應(yīng)，是一個(gè)比單一的限制進(jìn)入 CIS 電離器更好的選擇。

結(jié)論

任何真空處理裝置都可以受益于一個(gè)四極桿氣體分析儀。要很好地了解影響目前不同的四極氣體分析系統(tǒng)性能的不同因素，是為任何應(yīng)用選擇最佳傳感器配置的重要工具。四極桿氣體取樣系統(tǒng)可以從幾個(gè)不同的制造商獲得，通常很難決定哪一個(gè)構(gòu)成了一個(gè)工藝的最佳匹配。在大多數(shù)情況下，有不止一種方法來設(shè)置測量，而且每個(gè)選擇都涉及到妥協(xié)。更好地理解可用選項(xiàng)之間的基本差異，可以使問題最小化，并使生產(chǎn)力*大化。

隨著四極桿氣體分析儀變得越來越便宜，它們將在所有需要嚴(yán)格控制過程氣體污染水平的行業(yè)中成為普遍現(xiàn)象。